НОВОСЯДЛИЙ, Степан Петрович; ТЕРЛЕЦЬКИЙ, Андрій Іванович; ФРИК, Оксана Богданівна. PHYSICAL-TECHNOLOGICAL ASPECTS OF SIMULATION OF SILICON AND GALLIUM ARSENIDE LOW-TEMPERATURE EPITAXIAL LAYERED STRUCTURES. PRECARPATHIAN BULLETIN OF THE SHEVCHENKO SCIENTIFIC SOCIETY. Number, [S. l.], n. 1(45), p. 63–79, 2019. Disponível em: https://www.pvntsh.nung.edu.ua/index.php/number/article/view/14. Acesso em: 20 dec. 2025.